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          優質氮化鎵襯底有利于提升肖特基勢壘二極管參數

          蘇州納維科技有限公司

          深圳大學的劉新科博士和他的團隊近期試制了GaN基肖特基勢壘二極管(SBD),并且采用的是蘇州納維科技有限公司提供的2英寸氮化鎵自支撐襯底晶片,該二極管使用互補金屬氧化物半導體(CMOS)兼容的觸頭材料,采用CMOS工藝兼容的程序模塊,比如柵極堆疊形成歐姆接觸。

          納維提供的的2英寸氮化鎵自支撐襯底晶片采用氫化物氣相外延(HVPE)方法生長,位錯密度小于106cm-2。因為自支撐GaN襯底的質量較好,因此制備出的GaN基SBD實現了截止擊穿電壓VBR1200V、通態電阻Ron7mohm.cm2、功率器件品質因VBR2/Ron2.1×108V2ohm-1cm-2,Ion/Ioff電流比也實現了文獻報道中的最優值~2.3× 1010。

          以上數據說明,GaN襯底晶片的質量對SBD的影響很大,高質量的SBD,在額定的閉塞電壓下,可以實現高功率狀態下導通損耗最低。因為GaN基功率整流器(如肖特基二極管)在高溫高壓下表現出超低導通損耗,所以可應用在新一代電力電子電路中。并且該器件的電源電壓僅在幾百伏的范圍內,在開關電路制造方面有非常大的成本競爭力。

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